长江存储申请三维存储器装置及其制造方法专利，包括具有阵列区域和接触区域的第一半导体结构_电池资讯

长江存储申请三维存储器装置及其制造方法专利，包括具有阵列区域和接触区域的第一半导体结构

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2026-05-27 00:08:02

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN122094107A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，公开了存储器装置及其制造方法。所公开的存储器装置包括具有阵列区域和接触区域的第一半导体结构。所述阵列区域包括：阵列区域堆叠体，所述阵列区域堆叠体包括在垂直方向上交错的导电层和第一电介质层；以及沟道结构阵列，每个沟道结构垂直延伸穿过所述阵列区域堆叠体。所述接触区域包括：第一晶体管；电介质堆叠体，所述电介质堆叠体在所述晶体管上并且包括在所述垂直方向上交错的所述第一电介质层和第二电介质层；第一接触结构，所述第一接触结构在所述电介质堆叠体中延伸并且每个第一接触结构与所述阵列区域堆叠体中的所述导电层中的对应导电层连接；以及第二接触结构，所述第二接触结构延伸穿过所述电介质堆叠体并且与所述第一晶体管接触。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1440次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1007个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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