国星光电获得发明专利授权：“一种微型发光二极管芯片的转移方法”_电池资讯

国星光电获得发明专利授权：“一种微型发光二极管芯片的转移方法”

创始人

2026-05-31 04:03:24

0次

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示国星光电（002449）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种微型发光二极管芯片的转移方法”，专利申请号为CN202310331849.6，授权日为2026年5月29日。

专利摘要：本发明涉及一种微型发光二极管芯片的转移方法，其包括：S1、提供一芯片模组和一承接基板；芯片模组的第一衬底上设置微型发光二极管芯片，第一磁性结构设置在所述芯片的出光面上，所述芯片为倒装式；承接基板包括第二衬底和第二磁性结构；S2、令所述芯片模组设置有所述芯片的一侧与承接基板相对设置，其中第一磁性结构与对应的第二磁性结构之间存在相互吸引力；S3、令所述芯片从所述第一衬底上分离，并令所述第一磁性结构远离所述芯片的一侧固定于所述承接基板上；S4、将所述承接基板上的所述芯片与目标基板对位键合并移除承接基板。本发明的转移方法具有可有效提高微型发光二极管倒装式芯片与目标基板之间的键合效果的优点。

今年以来国星光电新获得专利授权20个，较去年同期减少了16.67%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了1.85亿元，同比减3.08%。

通过天眼查大数据分析，佛山市国星光电股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目1935次；财产线索方面有商标信息72条，专利信息1112条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可108个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。

方法信息天眼磁性芯片国星光电查大模组结构专利基板二极管

上一篇：阳光电动力取得电流检测电路专利，提高了电流采样可靠性

下一篇：奥兴材料申请低电阻耐磨导电银浆专利，显著降低颗粒间接触电阻

国星光电获得发明专利授权：“一种微型发光二极管芯片的转移方法”

相关内容

热门资讯