苏州博纳微电子申请基于湿法释放的聚酰亚胺薄膜释放脱模方法专利，显著提升柔性电子领域聚酰亚胺基底的制造效率与良率_电池资讯

苏州博纳微电子申请基于湿法释放的聚酰亚胺薄膜释放脱模方法专利，显著提升柔性电子领域聚酰亚胺基底的制造效率与良率

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2026-06-03 10:00:55

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国家知识产权局信息显示，苏州博纳微电子科技有限公司申请一项名为“一种基于湿法释放的聚酰亚胺薄膜释放脱模方法”的专利，公开号CN122103632A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于湿法释放的聚酰亚胺薄膜释放脱模方法，包括：清洗并使用氧等离子体工艺处理硅片，得到具有亲水性表面的硅片；涂布牺牲层材料，固化，得到带有牺牲层的硅片；旋涂聚酰亚胺溶液，通过光刻工艺对聚酰亚胺薄膜进行图形化处理，固化，得到附着有聚酰亚胺薄膜和牺牲层的硅片；将硅片整体置于有机溶剂中，浸泡，牺牲层溶胀直至聚酰亚胺薄膜自然脱落；其中，所述牺牲层材料优选聚甲基丙烯酸甲酯。通过本发明的方法，可实现低成本、高批量、无损伤的聚酰亚胺薄膜释放，代替传统激光剥离技术，显著提升柔性电子领域聚酰亚胺基底的制造效率与良率。

天眼查资料显示，苏州博纳微电子科技有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州博纳微电子科技有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法博纳显著提升薄膜领域微电子硅片专利柔性苏州牺牲层聚酰亚胺湿法

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