思睿逻辑申请多级可编程电阻存储器单元专利，可在至少三个不同的电阻值之间选择性地改变单元电阻
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2026-09-12 18:32:17
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国家知识产权局信息显示，思睿逻辑国际半导体有限公司申请一项名为“多级可编程电阻存储器单元”的专利，公开号CN122743549A，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本申请描述了使用电荷俘获晶体管(CTT)的多级可编程电阻存储器单元(200、300、400、600、800)。可编程电阻网络连接在两个电阻节点(A、B)之间，并且包括多个电荷俘获晶体管(T1…TN)。该单元可在编程模式下操作以通过对CTT中俘获的电荷量进行编程来选择性地将CTT中的每一者编程为选定的导通电阻状态；并且在输出模式下操作，其中CTT中的每一者都由相应的栅源电压驱动。该单元被配置为使得通过在编程模式下对CTT进行编程，可以在至少三个不同的电阻值之间选择性地改变在输出模式下介于两个电阻端子之间的单元电阻。
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