电池资讯
晶安光电取得衬底及抛光盘专利，有效提高外延波长均匀性
国家知识产权局信息显示，福建晶安光电有限公司取得一项名为“一种衬底、半导体器件及抛光盘”的专利，授权公告号CN223885591U，申请日期为2024年12月。...
国显光电取得柔性显示装置及电子设备专利
国家知识产权局信息显示，昆山国显光电有限公司取得一项名为“柔性显示装置及电子设备”的专利，授权公告号CN116486705B，申请日期为2023年5月。 天眼查...
卢克西姆解决方案申请具有稳定的光电倍增器的辐射检测设备专利，维持击穿电压的恒定电压输出
国家知识产权局信息显示，卢克西姆解决方案有限责任公司申请一项名为“具有稳定的光电倍增器的辐射检测设备”的专利，公开号CN121464341A，申请日期为2024...
华星光电取得显示面板及制作方法专利
国家知识产权局信息显示，武汉华星光电技术有限公司取得一项名为“显示面板及显示面板的制作方法”的专利，授权公告号CN119947450B，申请日期为2025年1月...
小米取得摄像头模组和电子设备专利
国家知识产权局信息显示，北京小米移动软件有限公司取得一项名为“摄像头模组和电子设备”的专利，授权公告号CN115695990B，申请日期为2021年7月。 天眼...
深圳纳欣科技取得外接天线和电子设备专利，能够以较低的成本增强电子设备的天线性能
国家知识产权局信息显示，深圳纳欣科技有限公司取得一项名为“一种外接天线和电子设备”的专利，授权公告号CN223884620U，申请日期为2025年3月。 专利摘...
德克萨斯仪器取得具有倒置引线引脚电子器件专利
国家知识产权局信息显示，德克萨斯仪器股份有限公司取得一项名为“具有倒置的引线引脚的电子器件”的专利，授权公告号CN111771277B，申请日期为2019年3月...
爱旭取得太阳能电池和层叠太阳能电池专利，降低了界面串联电阻
国家知识产权局信息显示，浙江爱旭太阳能科技有限公司、广东爱旭科技有限公司、天津爱旭太阳能科技有限公司、珠海富山爱旭太阳能科技有限公司、滁州爱旭太阳能科技有限公司...
华力集成取得金属浮栅存储器及其制造方法专利
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“金属浮栅存储器及其制造方法”的专利，授权公告号CN116156884B，申请日期为2023年2...
广东标顶电子取得光伏户外移动电源供电线束专利，提高移动电源供电线束使用时稳定性
国家知识产权局信息显示，广东标顶电子有限公司取得一项名为“一种光伏户外移动电源供电线束”的专利，授权公告号CN223884698U，申请日期为2025年3月。 ...
启鸣芯半导体取得信号处理电路及装置专利
国家知识产权局信息显示，上海启鸣芯半导体技术有限公司取得一项名为“信号处理电路、信号处理装置及通信系统”的专利，授权公告号CN121077431B，申请日期为2...
德携电子取得低损耗磁通门电流传感器测量方法专利
国家知识产权局信息显示，上海德携电子科技有限公司取得一项名为“一种低损耗比例放大的磁通门电流传感器的测量方法”的专利，授权公告号CN121142141B，申请日...
山东华电取得开关柜无人巡检方法及系统专利
国家知识产权局信息显示，山东华电节能技术有限公司取得一项名为“一种开关柜无人巡检方法及系统”的专利，授权公告号CN121164797B，申请日期为2025年11...
沪硅产业：国家集成电路基金拟减持不超过3%
新京报贝壳财经讯 2月6日，沪硅产业公告，国家集成电路产业投资基金股份有限公司持有公司5.12亿股，占15.49%；计划自本公告披露起15个交易日后的3个月内，...
晶合集成取得半导体芯片加强结构专利
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片”的专利，授权公告号CN115863389B，申请日期为2...
致茂电子申请具有低感抗的电子负载装置专利，可在电源传输过程中使电感感量降低
国家知识产权局信息显示，致茂电子(苏州)有限公司申请一项名为“具有低感抗的电子负载装置”的专利，公开号CN121463371A，申请日期为2024年7月。 专利...
中汽新能申请动力电池系统电压断线故障预测专利，可提升BMS的采样性
国家知识产权局信息显示，中汽新能电池科技有限公司申请一项名为“一种基于MLP与XGBoost堆叠的动力电池系统电压断线故障预测方法及系统”的专利，公开号CN12...
恒烁半导体取得FLASH储存芯片测试治具专利
国家知识产权局信息显示，恒烁半导体（合肥）股份有限公司取得一项名为“一种FLASH储存芯片测试治具”的专利，授权公告号CN116189751B，申请日期为202...
风华功率电感的饱和电流与温升电流有什么区别？
风华功率电感的饱和电流与温升电流是评估其性能的两个核心参数，二者在定义、物理机制、测试条件及设计应用中存在显著差异，具体区别如下： 1.定义与物理机制 饱和...