芯珑半导体申请用于高速差分放大器中的源极可调电阻电路专利，显著降低了退化节点对地的寄生电容
创始人
2026-06-24 13:19:37
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国家知识产权局信息显示，重庆芯珑半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于高速差分放大器中的源极可调电阻电路”的专利，公开号CN122268292A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于高速差分放大器中的源极可调电阻电路，属于高速模拟和射频集成电路技术领域，包括高速差分放大器、退化电阻单元和控制单元；所述退化电阻单元由一个第一MOS管构成；所述第一MOS管的源极和漏极分别连接至高速差分放大器差分对管的两个源极节点，作为其源极退化电阻，其栅极电压由控制单元产生；所述控制单元用于产生所述第一MOS管的栅极控制电压。本发明采用单个MOS晶体管替代庞大电阻阵列，面积大幅缩减，极大降低芯片成本，显著降低了退化节点对地的寄生电容，提升了放大器带宽。
天眼查资料显示，重庆芯珑半导体科技有限公司，成立于2024年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯珑半导体科技有限公司专利信息8条。
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来源：市场资讯
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