前言

在当下电子产品与系统对性能与能效的双重要求持续攀升的背景下，芯片厂商正不断突破工艺与架构的边界，以满足更小体积、更高功率密度以及更低静态功耗的需求。无论是移动终端的续航延长，还是工业控制与通信设备的稳健运作，都离不开高集成度、高可靠性的电源管理与控制器件。当前电源芯片已从传统的离散方案转向集成度更高、功能更丰富的智能化器件，助力系统在有限空间内实现更高开关频率、更精确的电流监测及多级保护。

与此同时，多场景、多协议的兼容性也成为新品芯片设计的重要考量。从低压驱动的功率开关到支持多种通信接口与安全算法的嵌入式微控制单元，再到面向快充与高瓦数应用的协议控制器和标记芯片，不同应用领域对功耗、热管理、EMI抑制以及瞬态响应速度的综合要求日益苛刻。为了回应市场对高效、可靠、易集成解决方案的呼声，业界纷纷推出了一系列横跨从电源转换、数字控制到安全加密的全链路产品，全面优化系统架构并缩短产品开发周期。

充电头网已汇总了各大芯片企业推出的多款充电行业的新品芯片，接下来将详细介绍一下，排名不分先后，按企业英文首字母排序。

BPS 晶丰明源

晶丰明源 Smart DrMOS

晶丰明源最新推出的Smart DrMOS智能集成功率器件芯片，采用自主研发的单晶BCD工艺与大电流框架／叠层封装，凭借全集成设计实现高效有序的电源管理解决方案，支持3V–24V宽输入、电流50A–90A输出及高达1.5MHz的开关频率，可满足高瓦数、高功率密度场景下的小型化供电需求；芯片内置高精度（5μA/A或10μA/A）电流检测与实时结温监测电路，具备过温、过流、短路及欠压锁定等全面保护功能，既能与核心处理器实现精准闭环调控，又可在静态工作时将电流降至100μA，从而大幅降低移动设备待机功耗并延长电池续航，全面提升系统能效与可靠性。

CHIPSEA 芯海科技

芯海CS32G501

芯海科技全新推出的 CS32G501 系列 MCU 基于 120 MHz 32 位高性能内核，集成 1 MB Flash 与 256 KB SRAM，并配备 8 KB 指令缓存、8 KB 数据缓存及 192 KB 紧耦合内存，以支持硬件浮点运算和数字信号处理加速，为复杂多线程与实时操作系统应用提供确定性执行；芯片内置 12 位 1 MSPS ADC、多路可配置 PWM 与 21 个 1.8 V 通用 IO，还通过双通道高速 I3C、四模 QSPI（240 MHz）与六路 I2C（1 MHz）等高速总线满足高清显示与多摄模组带宽需求；

该芯片具备四级电源管理与动态电压调节，配合 DeepSleep2（15 μA）及 Shutdown（5 μA）模式，使其在 TWS 耳机及智能手表等移动设备中实现超低功耗；内置国密 SM2/SM3/SM4 及 AES/SHA/ECC 安全引擎并提供丰富的接口（USB 1.1 主／设备、TACH 转速监测与矩阵键盘扫描），可运行轻量级 Linux 系统，且凭借完善的 EVB 开发套件与图形化配置工具，大幅缩短产品开发周期，助力智能终端设计迈向更高性能与安全新标杆。

ETA钰泰

钰泰ETA5220

钰泰半导体 ETA5220 是专为热成像与高端图像设备量身打造的超低噪声线性稳压器，输出噪声仅 0.96 μV RMS，1 MHz PSRR 高达 69 dB，可有效抑制数字电路干扰，实现画面条纹减少 40%、信噪比提升 6–8 dB；全温区电压精度 ±1%、偏移电压仅 1 mV，使测温误差由 ±1.2 °C 缩小至 ±0.5 °C，均匀性校正更平滑；10 μs 快速瞬态响应保证帧率切换无卡顿，500 μs 启动时间匹配智能硬件迅速唤醒；内置过热保护（160 °C 自动关断）与可调限流，实测高温环境下芯片温度 ≤ 110 °C；支持 2.5 V–10.5 V 宽范围输出，并提供电源良好（PG）信号，可灵活联动主控，满足各类传感器与逻辑模块的多元供电需求，从而大幅提升热成像系统的灵敏度、测温一致性与抗干扰性能。

FASTSOC速芯微

速芯微FS2302

速芯微最新推出的 FS2302 是一款采用SOT23‑6封装的3.3 V驱动高压NMOS开关，其创新地将控制偏置电源（VBIAS，2.8 V–20 V）与功率开关供电（VIN，0 V–20 V）独立管理，且VBIAS需高于VIN并保持0–5 V差值，以实现诸如1 V低压路径切换等特殊应用。

FS2302导通电阻仅32 mΩ，峰值电流可达4 A，静态功耗在VBIAS = 5 V时典型值仅23 µA，使能阈值0.9 V–1.1 V（关断0.4 V–0.7 V），并支持–40 °C 至 125 °C宽温度，该芯片具备高耐压性能与极简布局，是成为充电头、电动工具及各类高压开关场景中提升开关效率与系统可靠性的理想之选。

Greehy极海半导体

极海 APM32F402系列

极海APM32F402系列工业级MCU采用先进55 nm工艺，内置Arm® Cortex®‑M4F核心，主频可达120 MHz，配备128 KB Flash与32 KB SRAM，在高效处理能力与成本控制之间实现优异平衡；该系列通过USB‑IF认证，认证TID：13708。该芯片严格遵循USB电气规范和协议标准，确保电气性能与兼容性达到国际水平；丰富的模拟与数字外设接口、2.0 V～3.6 V宽电源电压支持以及−40 ℃～105 ℃宽温度范围，使其在编码器、仪器仪表、电力监控、工业控制、家电、电梯控制、游戏外设和扫码枪等多种复杂应用场景中，既能提升开发效率，又可明显缩短项目落地周期。

Hynetek慧能泰

慧能泰HUSB385

HUSB385 是一款高度集成的多口 USB‑PD 快充控制器，符合 USB Type‑C 2.1 和 USB PD 3.1 标准，支持 5 V/9 V/12 V/15 V/20 V 多档输出及两个可编程 APDO，并兼容 BC1.2 DCP、Apple 5 V 2.4 A、QC2.0/3.0、AFC、FCP、LVSCP/HVSCP、PE1.1+、UFCS 等快充协议。

HUSB385 内置两个低导通电阻NMOS管、恒压/恒流闭环及丰富的保护功能，仅需极少外部元件，可简化电路板设计并提升系统可靠性；该芯片采用 4 mm × 4 mm QFN‑32L 封装，支持 3 端口（2C1A 或 2A1C）应用、I²C 通信实时上报三路独立电流与协议状态、动态功率分配和多档线缆补偿，以及 ±6 kV HBM ESD 抗扰度，能够根据负载需求无限次调整输出功率，为各类智能终端提供灵活高效的快充解决方案。

慧能泰HUSB253

慧能泰 HUSB253 是一款面向新一代大功率 USB‑C 设备的双向 PD DRP 控制芯片，完整兼容 USB PD 3.2 标准及其扩展功率范围（EPR），可实现最高 240 W、48 V 输出并承受 60 V 耐压；内置 DP/DM PHY 支持 QC2.0–QC5、AFC、FCP、SCP、UFCS 等多种专有快充协议，集成 N‑MOSFET 驱动器（软启动）、eMarker 检测与 VCONN 供电、死电池唤醒等功能，还配备过流、短路、过压、过温及热关断等全方位硬件保护及 11 位 ADC 实时监测；24 引脚 QFN‑24L 封装设计，待机功耗低至 2.5 mW，能够智能调节电源路径与保护策略，为电动工具、移动电源、笔记本、平板、E‑Bike、机器人及家电等高压大功率 USB‑C 应用提供高效、可靠的双向供电解决方案。

Hypower瀚昕微

瀚昕微 HP961X 系列

瀚昕微的HP961X系列是应用于高端快充线缆的eEmarker芯片产品。符合最新的USB-IF PD3+规范及Type-C R2+规范，支持双口VCONN和Ra，单颗芯片就能满足C to C线缆的需求。为Passive Cable提供极简单的节省BOM成本的解决方案。

瀚昕微的HP961X系列始终保持快充线缆eEmarker的领先地位，HP9610已通过USB-IF PD3.1认证，HP9610B及HP9612M首批通过USB-IF PD3.2 TID认证，且兼容Type-C 2.3和USB4标准。

JADARD天德钰

天德钰JD6625

JD6625 是天德钰推出的一款专为 USB‑C 数据线设计的 E‑Marker 芯片，支持雷电三/四，支持USB4 2.0 80Gbps，符合 USB Type‑C 2.3 和 PD 3.1 规范，并通过了 USB‑IF 认证，TID:12068，XID:0016373。

该芯片内置隔离二极管、Ra 阻值阵列与 PD 控制器，将电缆性能检测与标识功能高度集成于一体，可有效降低外部元件数量和整机成本。通过片内一次性可编程存储器（OTP），可一次性写入线缆的额定电流能力、USB 标准版本、厂商身份等信息，完成 VDM命令的响应与上报，实现端口即插即用时对电缆特性的精确识别。

在功能实现上，JD6625 支持高达 240 W 的 PD 最大功率标记，并全面兼容 BMC 模式下的 SOP 通信，以及结构化 VDM 版本 1.0 与 2.0。芯片提供对 Ra 阻值和 VCONN 二极管的驱动控制，VCONN 供电电压覆盖 2.7 V 至 5.8 V 范围，能够适配不同线缆与应用场景的供电需求。同时，器件内置过温保护电路，可在高温环境下自动限流或关断，以提高系统的可靠性和安全性。

为了应对电磁干扰与静电放电风险，JD6625 在 CC、VCONN1、VCONN2 引脚上均提供高达 ±8 kV HBM 的静电防护，并具备可调的边沿斜率控制功能，用以抑制 BMC 信号中的电磁骚扰。通过 CC 引脚即可完成对定制 VDM 命令的在线编程，无需额外接口，简化了生产测试流程并提升产品良率。

JD6625 提供多种封装形式，包括TDFN‑4L（1.6x1.6mm）、TDFN‑6L（2 × 2 mm） 以及常见的 SOT23‑6L，便于设计人员根据不同的 PCB 布局与成本需求灵活选型，可为高功率 USB‑C 数据线提供种成熟、可靠且易于量产的E‑Marker 芯片解决方案。

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OCS灿瑞科技

灿瑞 OCD2996

OCD2996是一款适用于重载机型的单相无刷直流（BLDC）电机驱动车规级芯片。它集成了功率MOSFET，支持内置传感器、外部霍尔开关和霍尔元件，方案可选并有效降低解决方案成本。内置了PWM软开关功能，效率高，静音好。内置了速度开/闭环功能，速度曲线，软开关角度等各种参数，提供参数硬件型和参数可编程型，机型适配性强。

灿瑞 OCP82131

OCP82131 是一款专为支持高达 10 英寸正／负驱动 TFT‑LCD 面板（从 SFF 到 MFF，如平板电脑）而设计的高集成度电源管理器件，采用单电感架构实现双通道输出，典型应用下两个输出直接驱动源极驱动 IC；其宽输入电压范围（2.7 V–5 V）与针对单节锂电池优化的升压 DC‑DC 转换器可提供对称 120 mA 输出，LDO 与电荷泵则生成默认 ±5.8 V（可通过 I²C 接口灵活编程至 ±4 V 至 ±6.5 V，步进 100 mV），整体转换效率超过 89%；高达 1.2 MHz 的开关频率使得电感与电容均可选用超小尺寸元件，内置补偿、软启动、欠压／过流保护及过温关断等功能，关机电流低于 1 μA，全部集成于 WLCSP‑15B 封装中，可实现解决方案体积与外部组件数量的最小化，同时保持 ±1.5% 的输出精度和出色的负载／线性调整特性。

Power Integrations

PI TinySwitch-5

Power Integrations TinySwitch-5 是其标志性TinySwitch产品系列的最新成员，该系列已累计出货60亿颗，为电源设计提供了简洁可靠的开关IC解决方案；TinySwitch‑5 在传统反激式设计中可输出高达175 W，在使用功率因数校正时可达190 W，满载效率高达92%，即使在1%轻载条件下也能保持最高87%的效率，从而在待机状态下为显示、控制与通信功能持续提供220 mW输出，完美满足欧盟ErP 300 mW待机功耗标准。

TinySwitch-5无需对现有原理图作重大修改，该器件采用先进控制引擎自动调节开关频率与每周期能量传输，并提供通孔与表贴两种封装，后者可利用PCB散热实现无散热片75 W输出；内置输入欠压/过压保护，延续EcoSmart节能技术自1998年以来已节省约200 太瓦时电力的传统优势，广泛适用于家电、计算、通信、工业及医疗领域的偏置与辅助电源。

PI HiperLCS-2

Power Integrations HiperLCS‑2 离线式 LLC 开关IC芯片组由集成高带宽 LLC 控制器、同步整流驱动器和 FluxLink 隔离链路的隔离器件HiperLCS2‑SR与采用600 V FREDFET 半桥功率器件 HiperLCS2‑HB 构成，借助全新 POWeDIP 封装及电绝缘陶瓷导热垫，可实现高达1650 W 连续输出，峰值更是可达2450 W，效率超过98%，空载功耗低于65 mW，且无需风扇或通风设计。

器件在400 V DC输入下可提供出色的0%–100%动态响应，同时相较于分立式方案元件数与PCB面积最多减少60%，通过自供电启动功能还可为后级 PFC 芯片提供偏置电源，极大提升工业电源及户外电动工具充电器的可靠性、防尘防潮性能和散热简便性。

Power X 博尔芯

博尔芯 PXPG05RxxxCS

PXPG05RxxxCS系列芯片基于耗尽型D-mode GaN 器件，封装为QFN 6×8mm。

PXPG05RxxxCS系列芯片内部集成自主设计的电流采样/保护功能的驱动IC，产品覆盖240mΩ、170mΩ与120mΩ三档导通电阻，支持5V至40V的超宽电源电压输入，可直接与主控芯片共享单电源供电，极大地简化了系统架构并提升了布板灵活性。

不同于传统依赖外置电阻的电流检测方式，该芯片通过创新拓扑实现“无损”电流采样，电流检测比例误差控制在3%以内，既避免了额外的功耗与PCB热点问题，也使得整体方案的效率和稳定性有着显著提升，也实现了更小的布板面积。

在电磁干扰（EMI）管理方面，PXPG05RxxxCS内置可调Slew-rate功能，结合外部驱动电流调节，能够在满足高频开关的同时，有效压制副边MOSFET的Vds尖峰与系统EMI。

此外，芯片集成了过流保护（OCP）、过温保护（OTP）及欠压锁定（UVLO）功能，其中过流保护响应时间小于30 ns，可在最短时间内截断异常电流，为电源系统构筑了更为坚实的安全防线。

在控制接口方面，PXPG05RxxxCS支持3–20V宽域数字PWM信号输入，与主流MCU及DSP高度兼容，可灵活配置至MHz级的开关频率，以满足快充、小型化和高频化设计需求。该系列重点面向300 W及以下PD快充、笔记本适配器、电动两轮车充电器等应用，兼容QR、LLC、AHB等多种电源架构。

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Primechip 元芯半导体

元芯氮化镓智能驱动芯片系列

元芯半导体有多款氮化镓驱动芯片产品，包括YX4505G、YX4725G、YX4707G等氮化镓驱动芯片。

元芯半导体 YX4505G

元芯高性能栅极驱动器YX450XG系列产品具有超短传输时延（仅5ns）和超强驱动能力的特点，内部集成高精度LDO、高精度电流及温度检测。可实现上下管驱动强度及斜率调节以及完备的保护功能如OTP(过温保护)和OVP(VDD过压保护)，非常适用于光伏储能、数据中心、电动汽车以及高端消费电子的应用场景。YX450XG高性能栅极驱动器凭借5V驱动电压与纳秒级的响应特性，可精准驱动低开启阈值的MOSFET及增强型GaN器件，实现系统能效与功率密度的双重跃升。

元芯半导体 YX4725G

YX4725G 是一款高性能半桥栅极驱动器，专为 Si FET 和高速 GaN FET 应用而设计。它集成了高达100V 的栅极驱动器和自举二极管，并支持三重PWM 输入。高压侧驱动电压在内部箝位，以防止GaN FET 超过栅极源电压额定值。YX4725G 具有分离式栅极驱动器，可灵活调整输出导通和关断时间。YX4725G 可提供高达 4A 拉电流和 8A 灌电流的高峰值电流。它支持轨到轨驱动能力，最大电源输入电压为 7V。其超短的传播延迟和快速的上升和下降时间适合 Si 和 GaN FET 应用。

元芯半导体 YX4513X

YX4513X系列通过单片集成增强型(e-mode)GaN HEMT与全功能栅极驱动电路，实现高频开关与能效突破；其创新电流检测技术独立于GaN动态Rds(on)特性，实现精确的电流采样，显著提升系统稳定性与过流响应速度——此为核心优势为分立GaN FET方案所无法企及。YX4513X系列同时集成40V输入5V输出的高精度LDO，兼容TTL/CMOS输入逻辑（带迟滞抗干扰），并配备欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)及低待机电流设计，全面优化高密度电源的系统鲁棒性与空载能效。

元芯氮化镓电源管理控制器产品

元芯半导体 YX2265G

元芯单向DC-DC控制器系列产品适用于光伏储能、数据中心、电动汽车以及高端消费电子 的应用场景。量产产品支持100V，65V，45V，35V四个电压等级，支持的拓扑结构包含升降压Buck-Boost，升压Boost和降压Buck。

元芯半导体 YX2865G

元芯双向DC-DC控制器系列产品适用于光伏储能、数据中心、电动汽车以及高端消费电子的应用场景。量产产品支持100V，65V，45V，35V四个电压等级，支持的拓扑结构包含升降压Buck-Boost，升压Boost和降压Buck。

元芯半导体 YX8265G

元芯DC/DCLED驱动系列产品适用于摄影器材、舞台灯、电动汽车等应用场景。量产产品支持100V，65V，45V，35V四个电压等级，支持的拓扑结构包含升降Buck-Boost，升压Boost和降压Buck。

元芯半导体 YX5311G

YX5311G 是一款隔离式反激式控制器，在 2.7V 至100V 的宽输入电压范围内具有高效率。它直接测量原边反激波形的输出电压，无需光耦合器或第三绕组进行调节。只需一个电阻即可设置输出电压。YX5311G 提供 5V 栅极驱动电压，用于驱动外部N 沟 MOSFET 或 GaN。内部补偿和软启动功能减少了外部元件的数量。为了保持高效率并最大限度地降低输出电压纹波，YX5311G 在轻负载下以 DCM 模式运行。

Si-Power硅动力

硅动力新一代数模混合信号反激控制芯片

SP9800/SP9810与SP9801/SP9811是硅动力最新推出的新一代数模混合信号反激控制芯片，该芯片采用了独特的数模混合信号设计，将关键模拟信号进行数字化处理，并通过状态机驱动的数字内核完成综合逻辑运算，从而在复杂工况下实现高精度的电压、电流控制及保护功能。

这两款芯片均采用SSOP-10封装，支持130/180/260/350kHz四档可选限频，可配置精准 CC/CV/CP 曲线，并支持17种保护故障码上报功能，具备包括过压、欠压、过流、短路、过温等保护功能，支持单次可编程OTP寄存器确保出厂前一次性配置存储，使系统在高效、可靠之间获得最佳平衡。

其中SP9800与SP9810系列的最大亮点在于SP9800支持硅动力自研的Cap-Less技术与外部参数灵活配置。SP9800可以在仅0.8~1 µF/W的母线电容条件下，通过记录首波峰值电流与关断时间，并动态减少Toff使电流不归零，从而平滑过渡到深度CCM模式，有效提升系统效率并缩小电容体积。同时，BIAS与CS管脚提供450 µA启动配置电流，用户可通过接入不同阻值电阻精确设置Ki恒流基准、CP/CC/CV模式等关键参数。

SP9801/SP9811则更强调数字化自适应控制与系统简化，支持更高的功率应用。两者均内建高压启动模块、X电容放电与VDD维持功能，待机功耗符合6级能效要求；在交流低压与高压之间，BIAS管脚可实时并／断输入母线电容，实现电容体积优化与冲击电流抑制。SP9801进一步引入自适应CCM控制，当母线电容容量不足时，芯片通过检测CS引脚上的VCS_CCM与ΔV差值，自动减少Toff，无缝在DCM与CCM间切换，保证小电容场景下依然能够维持高效输出；而SP9811则保留QR/DCM与Burst模式切换，取消CCM，适应于高输入AC母线场合，可以满足对系统一致性与静音特性的要求。

SP9800/SP9801系列详细资料

在启动与电压监测方面，SP9800/SP9810与SP9801/SP9811都融合了Brown-in/out与AC OVP延迟检测、ZCD电阻自检、前沿消隐与CS短路／OVP保护等多重机制，确保芯片在各种工况下都能安全可靠工作。

在应用场景方面，SP9800/SP9810与SP9801/SP9811兼容单口及多口快充、高功率密度适配器等场景，尤其适用于需要兼顾体积、效率与安全性的充电器、适配器及工业电源方案。

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SOUTHCHIP南芯科技

南芯SC3601

南芯科技宣布推出自主研发的 190Vpp 压电微泵液冷驱动芯片 SC3601，可在移动智能终端实现低功耗液冷散热。SC3601 可实现 10 倍的节电效率提升，驱动波形的总谐波失真加噪声 (THD+N) 低至 0.3%，待机功耗低至微安级。搭载该芯片的液冷方案可大幅提升移动智能终端散热性能，填补了国产技术空白。目前，SC3601 已在多家客户导入验证并即将量产。

SC3601 采用双向转换架构的创新设计，实现能量回收机制，相比传统单向能量转换的驱动方案，节电效率可显著提升至 10 倍。同时，驱动波形的总谐波失真加噪声 (THD+N) 低至 0.3%，可实现即时精确的反馈。

南芯SC2006A&SC2007A

SC2006A 和 SC2007A 定位于需要定制逻辑的复杂场景，SC2006A 可用于磁吸充电宝、大功率私有协议和 3C 应用，SC2007A 可支持 2C1A 应用。

SC2006A & SC2007A 应用框图

这两颗芯片采用 ARM Cortex M0 内核，集成大容量flash、双路 11-bit DAC（支持 10mV 步进）等大量模拟外设，可支持 PD3.2 EPR & AVS、UFCS、高低压 SCP、SVOOC、MI 等全部主流快充协议，以及高精度电量计和阻抗追踪算法等复杂应用。同时，端口 pin 高耐压，内置 LDO、优化选电逻辑和放电电路，可实现极简 BOM 和极致的性价比。在能量效率上，这两颗芯片采用多级低功耗模式，shipping 模式下最低电流低至 10μA。SC2006A 还集成了 ePWM 输出、48MHz 时钟、Q 值检测和 VMO/IMO 处理后的 BMC 解码。

SC2006A 和 SC2007A 支持多种保护机制，包括过压保护、欠压保护、过流保护、短路保护、过温保护、DPDM 过压保护、CC 过压保护、VCONN 过压/过流/短路保护等，从而有效确保系统稳定可靠运行。

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南芯SC2016A&SC2017A

SC2016A 和 SC2017A 集 PD、MCU 和 Charger 于一身，实现了极致的集成度，进一步简化系统设计，可应用于 100W 以下的单节或多节电池应用。其中，SC2016A 集成升降压芯片，可支持 2-5 节电池；SC2017A 集成降压芯片，可支持 20V 单节电池，MOS 管外置。

SC2016A & SC2017A 应用框图

这两颗芯片同样采用 ARM Cortex M0 内核，以最低的成本提供最充足的 MCU 资源，通过软件控制充电状态机，实现高灵活性，满足不同电池特性的需求，可支持双独立 CC&DPDM 快充协议控制，也可搭配通用外置 DCDC 做双口独立应用。产品可支持全部主流快充协议，集成多种保护功能，shipping 模式下待机电流低至 10μA。

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ST意法半导体

意法半导体 VIPerGaN65D

意法半导体全新推出的 VIPerGaN65D 反激式转换器采用传统 SOIC‑16 封装，集成了 700 V GaN 晶体管与优化栅极驱动器，支持85 V～265 V通用输入下最高65 W输出（185 V～265 V时可达85 W），并在工作频率最高240 kHz下实现零电压开关，极大降低开关损耗，使得配合小型反激变压器与微型无源元件即可构建高功率密度、低成本电源适配器和USB‑PD快充器；器件内置SENSEFET电流检测MOSFET，实现3.5 A限流与精确电流监测，并提供过流、过压、欠压、过载、短路、热关断等自动重启保护功能，动态消隐与前馈补偿技术可在不同线路与负载条件下保持效率最优化，待机功耗低于30 mW，全面满足最新国际能效标准，可广泛应用于便携充电器、家电、楼宇自动化与工业控制等多种场景。

意法半导体 STDRIVEG610/STDRIVEG611

意法半导体最新推出的 STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 高压GaN半桥栅极驱动器，集成了高边自举二极管与小于10 ns的高低边线性稳压器，可提供2.4 A／1.2 Ω吸电流与1.0 A／3.7 Ω拉电流的独立驱动路径，显著提升GaN功率器件的开关性能；STDRIVEG610针对300 ns级启动时间优化，完美契合LLC与ACF等电源转换拓扑的精确关断控制需求，而STDRIVEG611在电机硬开关场景中增强了高边UVLO欠压保护与过流保护智能关断，可大幅提高家电、工业伺服及自动化驱动装置的能效和可靠性；两款器件支持软硬开关拓扑、互锁防交叉导通、±200 V/ns dV/dt抗扰度，并内置过热保护及待机节能引脚，所有功能封装于4 mm×5 mm QFN中，为设计者在电源适配器、功率因数校正、充电器和电机控制等领域提供了更高的设计灵活性和系统鲁棒性。

充电头网总结

从行业发展维度审视，当下电源与充电芯片领域正沿着 “集成化、智能化、高频化” 的技术路径加速革新。一方面，新型功率器件与驱动架构的深度融合打破传统能效边界，通过将控制逻辑、保护功能与功率器件集成于单芯片，在提升转换效率的同时缩小方案体积，为终端设备的小型化与高功率密度设计提供核心支撑；另一方面，多协议兼容性与安全机制的迭代成为行业破局关键，芯片方案从单一功能实现向全链路协议适配与信息安全集成演进，推动充电生态从碎片化走向标准化，为物联网、工业控制等场景构建更通用的底层技术框架。