华虹半导体申请改善图像传感器光刻胶残留方法专利，有效解决了高剂量离子注入导致的光刻胶硬化及去胶残留问题_电池问答

华虹半导体申请改善图像传感器光刻胶残留方法专利，有效解决了高剂量离子注入导致的光刻胶硬化及去胶残留问题

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2026-09-12 16:25:33

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善图像传感器光刻胶残留的方法”的专利，公开号CN122742483A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善图像传感器光刻胶残留的方法。该方法包括：提供形成有栅极材料层的半导体衬底；在栅极材料层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行构图处理以形成光刻胶图形，该图形包括多个相互独立的光刻胶块，光刻胶块覆盖需保留的栅极区域，且光刻胶图形的透光比例大于预设比例；以光刻胶图形为掩模进行离子注入；去除光刻胶图形。本发明通过将大面积光刻胶分割为小块，显著增大了透光比例，有效解决了高剂量离子注入导致的光刻胶硬化及去胶残留问题，降低了缺陷率，提升了器件性能和生产良率。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息281条，此外企业还拥有行政许可234个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2952次，专利信息2165条，此外企业还拥有行政许可119个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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