江苏芯港半导体申请蓝宝石基垂直二极管外延片制备方法专利，能有效避免氢气的刻蚀作用
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2025-07-29 09:39:57
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，江苏芯港半导体有限公司申请一项名为“蓝宝石基垂直二极管外延片的制备方法”的专利，公开号CN120379402A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及蓝宝石基垂直二极管外延片的制备方法，具体包括以下步骤：提供一蓝宝石衬底，将蓝宝石衬底放入反应室的石墨盘中，向反应室中通入氨气，在所述蓝宝石衬底的承载面形成多个凹槽，多个所述凹槽间隔排布；在所述凹槽内填充SIC材料，形成SIC材料层，所述SIC材料层的表面与所述蓝宝石衬底的承载面平齐；在所述蓝宝石衬底的承载面上外延生长外延结构；采用至少一次阶梯式调速调整石墨盘的转速，直至石墨盘的转速满足设定转速。
天眼查资料显示，江苏芯港半导体有限公司，成立于2020年，位于徐州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯港半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可18个。
来源：金融界
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