朝阳微电子取得低电压低漏电二极管制造方法专利
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2025-06-27 11:08:27
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，朝阳微电子科技股份有限公司取得一项名为“一种低电压低漏电二极管的制造方法”的专利，授权公告号CN115831741B，申请日期为2022年12月。
天眼查资料显示，朝阳微电子科技股份有限公司，成立于1997年，位于朝阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6151.8223万人民币。通过天眼查大数据分析，朝阳微电子科技股份有限公司参与招投标项目320次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息93条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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