中科彼岸申请半导体结构、超薄半导体的制作方法及超薄半导体专利，获得厚度可达小于1μm的超薄半导体减薄能力_电池知识

中科彼岸申请半导体结构、超薄半导体的制作方法及超薄半导体专利，获得厚度可达小于1μm的超薄半导体减薄能力

创始人

2025-11-25 14:09:01

0次

国家知识产权局信息显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请一项名为“半导体结构、超薄半导体的制作方法及超薄半导体”的专利，公开号CN 121001398 A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构，适用于腐蚀减薄工艺来实现超薄半导体；半导体结构包括依次层叠的衬底、腐蚀阻挡层和半导体层；半导体层包括缓冲层和器件层；缓冲层用于防止器件层在衬底腐蚀减薄去除前后功函数变化影响；腐蚀阻挡层用于在腐蚀减薄工艺中阻挡腐蚀品对半导体层进行腐蚀；衬底和半导体层电连接。采用此半导体结构，能够在腐蚀减薄后得到的超薄半导体整体减薄去除衬底的厚度，获得厚度可达小于1μm的超薄半导体减薄能力；本发明将衬底与腐蚀阻挡层上的半导体层电连接，结合缓冲层结构，可以很好克服当腐蚀阻挡层为绝缘层时绝缘体上的半导体在干法刻蚀时的电荷积累问题，具备与传统半导体工艺（如体硅工艺）兼容的能力。

天眼查资料显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司，成立于2022年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本105.44216万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中科彼岸集成电路科技有限公司专利信息4条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示投资厚度彼岸导体阻挡层工艺结构专利北京中科缓冲层半导体衬底半导体层

上一篇：东山精密新加坡申请非对称堆叠PCB及构建方法、单面电镀方法和PCB板专利，避免单独子板单面层压带来的翘曲问题

下一篇：尧鑫科技取得一种高韧性耐磨损的超导电缆专利，提高耐磨套管的使用寿命

中科彼岸申请半导体结构、超薄半导体的制作方法及超薄半导体专利，获得厚度可达小于1μm的超薄半导体减薄能力

相关内容

热门资讯