苏州华太电子申请双向开关JFET器件及其制备方法专利，解决传统射频开关关态下关断电容较大的问题_电池知识

苏州华太电子申请双向开关JFET器件及其制备方法专利，解决传统射频开关关态下关断电容较大的问题

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2026-01-24 15:45:02

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国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种双向开关JFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121398080A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种双向开关JFET器件及其制备方法。双向开关JFET器件包括：第二掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，形成在所述衬底之上；每一个元胞内具有两个沿横向方向间隔设置在所述外延层中的第二掺杂类型的源漏区；第一掺杂类型的第二栅区，形成在外延层内，横向方向位于同一个元胞的两个源漏区之间；第二掺杂类型的沟道区，形成在外延层中第二栅区之上的位置，横向方向位于同一个元胞的两个所述源漏区之间；第一掺杂类型的第一栅区，竖向方向位于所述沟道区之上，横向方向位于同一个元胞的两个所述源漏区之间；其中，所述第一栅区和所述第二栅区同电位，形成竖向设置的双栅结构。本申请解决了传统的射频开关器件关态下关断电容Coff较大的技术问题。

天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息506条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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