新紫光半导体申请斜场板结构及其制造方法专利，提高制造精度
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2026-03-13 15:53:05
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国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“斜场板结构及其制造方法和半导体器件”的专利，公开号CN121645965A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开涉及一种斜场板结构及其制造方法和半导体器件，斜场板结构的制造方法包括：提供基板，并在基板上形成栅极结构；在基板和栅极结构上方沉积第一压印层；通过压印模具在栅极结构侧向的第一压印层形成倾斜凹槽；在第一压印层表面和倾斜凹槽内沉积场板层；去除位于部分栅极结构上方的场板层和第一压印层形成斜场板结构。该斜场板结构及其制造方法是通过压印模具在第一压印层制作出斜场板的倾斜部分，取代了传统的光刻和刻蚀步骤，能够突破传统光刻工艺的分辨率极限，从而提高制造精度。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息66条。
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来源：市场资讯
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