长鑫科技申请图像传感器专利，第一像素区域和第二像素区域共享一个转移栅极_电池知识

长鑫科技申请图像传感器专利，第一像素区域和第二像素区域共享一个转移栅极

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2026-03-18 21:07:14

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“图像传感器”的专利，公开号CN121692817A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请涉及图像传感器领域，提供一种图像传感器，包括第一芯片和第二芯片；第一芯片上形成有多个像素区域群，每一像素区域群包括多个像素区域，每一像素区域包括光电二极管、转移栅极和浮置扩散区域；第二芯片上形成有多个像素电路，第一芯片上的多个像素区域群和第二芯片上的多个像素电路一一对应；第二芯片包括基片层和布线层，第一芯片和第二芯片沿第一方向堆叠，布线层位于基片层远离第一芯片的一侧；多个像素区域群中包括相邻的第一像素区域和第二像素区域，第一像素区域的浮置扩散区域和第二像素区域的浮置扩散区域电隔离，且第一像素区域和第二像素区域共享一个转移栅极；共享的转移栅极通过贯通基片层的第一贯通孔连接至布线层。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1078次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息668条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业栅极投资基片芯片图像传感器包括专利区域布线层图像传感器像素区域群

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