长鑫科技获得发明专利授权：“一种半导体测试结构及其制造方法”
创始人
2026-09-11 06:49:45
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体测试结构及其制造方法”，专利申请号为CN202510837613.9，授权日为2026年9月4日。
专利摘要：本公开实施例提供了一种半导体测试结构及其制造方法，其中，半导体测试结构包括：测试阵列区，包括阵列排布的测试有源区。沿第一方向排列的多个测试导电线组，每个测试导电线组包括相邻设置的两条测试导电线以及连接两条测试导电线的第一端的连接部，每条测试导电线沿第二方向延伸穿过测试阵列区，第二方向垂直于第一方向。至少一个电连接结构和两个外接结构，位于多个测试导电线组中的测试导电线的第二端上，其中，测试导电线的第一端和第二端彼此相对。至少一个电连接结构电连接多个测试导电线组中相邻的测试导电线组中彼此相邻的测试导电线，两个外接结构分别与多个测试导电线组的全部测试导电线中最外侧的两条测试导电线电连接。
今年以来长鑫科技新获得专利授权39个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元，同比增51.27%。
通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1084次；财产线索方面有商标信息420条，专利信息715条，著作权信息25条；此外企业还拥有行政许可44个。
数据来源：天眼查APP
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