上海功成半导体取得屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法专利
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2025-07-11 21:39:01
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海功成半导体科技有限公司取得一项名为“一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN115172169B，申请日期为2022年07月。

天眼查资料显示，上海功成半导体科技有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1414.9831万人民币。通过天眼查大数据分析，上海功成半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息38条，专利信息134条，此外企业还拥有行政许可6个。

来源：金融界

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