晶合集成获得发明专利授权：“MOS器件及其制作方法”
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2025-09-24 06:04:09
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“MOS器件及其制作方法”，专利申请号为CN202510962115.7，授权日为2025年9月23日。
专利摘要：本发明公开了一种MOS器件及其制作方法，其中方法包括以下步骤：在MOS器件的硅衬底表面形成氧化硅层；在氧化硅层上依次沉积高介电常数的第一材料层和牺牲层，刻蚀牺牲层，形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构上形成低介电常数的第二材料层并刻蚀，在牺牲栅极结构两侧形成偏移侧墙结构；刻蚀偏移侧墙结构两侧硅衬底上的第一材料层，并在硅衬底上形成低掺杂漏极区域；在偏移侧墙结构外侧形成一定厚度的第三材料层，该第三材料层为低介电常数材料层；形成源漏极高掺杂区域；刻蚀牺牲栅极结构及其下方的第一材料层，形成栅极区域凹槽，并在栅极区域凹槽内形成栅极；完成MOS器件的后续工艺。本发明可增大MOS器件的导通电流，提高器件性能。
今年以来晶合集成新获得专利授权275个，较去年同期增加了23.87%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。
通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1241条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。
数据来源：天眼查APP
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