矽力杰申请双向半导体器件及其制造方法专利，降低了双向半导体器件的比导通电阻
创始人
2026-03-31 19:17:37
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国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“双向半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121772262A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种双向半导体器件及其制造方法。双向半导体器件包括：衬底、沟道层、第一势垒层、栅极结构、第二势垒层、第一输入输出电极和第二输入输出电极。沟道层和第一势垒层依次形成在衬底上。栅极结构和第二势垒层形成在第一势垒层上。第二势垒层位于栅极结构的两侧。第一输入输出电极和第二输入输出电极位于栅极结构的两侧。栅极结构和第一输入输出电极的距离基本等于栅极结构和第二输入输出电极的距离。第二势垒层强化了沟道层的极化效应，提高了二维电子气体浓度，降低了双向半导体器件的比导通电阻。
天眼查资料显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司，成立于2008年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息71条，专利信息860条，此外企业还拥有行政许可9个。
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来源：市场资讯
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