华虹宏力申请沟槽型功率器件制造方法专利，降低多晶硅电阻率和栅极电阻_厂商动态

华虹宏力申请沟槽型功率器件制造方法专利，降低多晶硅电阻率和栅极电阻

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2026-07-11 23:01:14

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“沟槽型功率器件的制造方法及器件”的专利，公开号CN122373431A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种沟槽型功率器件的制造方法及器件。该方法包括：在形成的沟槽内生长栅介质层；在同一工艺配方内分多段生长多晶硅，并在相邻两段生长工艺间通入含氧气体以阻断多晶硅晶粒生长，同时避免形成二氧化硅层间夹层；去除衬底表面多余多晶硅以形成栅极。本发明通过原位阻断晶粒生长，实现了晶粒尺寸的细化和均匀分布，从而降低了多晶硅电阻率和栅极电阻，减小了器件功耗。此外，该工艺有助于释放淀积应力，改善晶圆翘曲状况。本发明在不增加工艺步骤和制造成本的前提下，利用简化的分段控制手段显著提升了功率器件的电学性能与制造良率，具有良好的工业应用前景。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7858条，此外企业还拥有行政许可461个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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