长飞先进半导体申请功率器件及制备方法专利，提升器件可靠性
创始人
2026-08-29 10:18:21
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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN122662241A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请提供了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括:半导体本体包括阱区、第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；第一区域为第一导电类型且位于第一表面；第二区域为第二导电类型且位于第一表面；第三区域为第二导电类型，且位于栅极沟槽邻近第二表面的一侧，第二区域与第三区域连接；第四区域为第一导电类型，第四区域设置于栅极沟槽的槽角处，至少与栅极沟槽的侧壁接触，在第一方向上贯穿第三区域；第二区域和第一区域与源极连接。本申请可以提升器件可靠性，提高器件开关速度。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目43次，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可77个。
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