晶合集成申请半导体结构及其制备方法、电子设备专利，降低器件烧毁的风险
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2026-09-05 19:25:19
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN122699615A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备，半导体结构，包括：衬底；金属插塞，位于衬底的第一表面上；栅极，沿平行于第一表面的方向间隔排列，包括：导电层，以及覆盖导电层侧壁的介质叠层；其中，导电层包括沿背离衬底方向依次排列的第一导电部、第二导电部；第二导电部的宽度小于第一导电部，且顶面高于第一表面；限位部，位于相邻栅极间的第一表面上，并覆盖介质叠层的部分侧壁，用于限定金属插塞的形成位置。至少能够在节省工艺成本的同时，降低器件烧毁的风险。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目651次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1805条，此外企业还拥有行政许可35个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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