高通申请采用耦合到变容二极管的薄栅极绝缘体晶体管来降低栅极到源极/漏极电压以避免电压击穿的电子器件专利，防止薄栅极绝缘体晶体管的相应栅极到源极/漏极电压超过其击穿电压_电池技术

高通申请采用耦合到变容二极管的薄栅极绝缘体晶体管来降低栅极到源极/漏极电压以避免电压击穿的电子器件专利，防止薄栅极绝缘体晶体管的相应栅极到源极/漏极电压超过其击穿电压

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2026-06-27 11:24:31

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国家知识产权局信息显示，高通股份有限公司申请一项名为“采用耦合到变容二极管的薄栅极绝缘体晶体管来降低栅极到源极/漏极电压以避免电压击穿的电子器件以及相关制造方法”的专利，公开号CN122296056A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，采用耦合到变容二极管的薄栅极绝缘体晶体管来降低栅极到源极/漏极电压以避免电压击穿的电子器件以及相关制造方法。电子器件包括串联耦合以提供单个输出节点的薄栅极绝缘体晶体管，并且薄栅极绝缘体晶体管的栅极由单个输入节点控制以提供有效的三（3）端子单个晶体管器件。电子器件包括变容二极管，每个变容二极管串联耦合在薄栅极绝缘体晶体管的相应栅极与输入节点之间，以支持电子器件的单个输入信号。每个串联耦合的变容二极管和薄栅极绝缘体晶体管彼此并联耦合到输入节点。每个变容二极管在输入信号电压与相应薄栅极绝缘体晶体管的其串联连接的栅极之间产生分压，以防止薄栅极绝缘体晶体管的相应栅极到源极/漏极电压超过其击穿电压。

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来源：市场资讯

电子器件栅极投资绝缘体节点电压耦合晶体管专利二极管

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高通申请采用耦合到变容二极管的薄栅极绝缘体晶体管来降低栅极到源极/漏极电压以避免电压击穿的电子器件专利，防止薄栅极绝缘体晶体管的相应栅极到源极/漏极电压超过其击穿电压

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