广州增芯科技申请半导体器件结构及其制备方法专利，能够提升器件的抗ESD性能和触发电压_电池技术

广州增芯科技申请半导体器件结构及其制备方法专利，能够提升器件的抗ESD性能和触发电压

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2026-08-15 20:25:52

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国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN122579702A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件结构包括衬底、深沟槽隔离结构、多指栅晶体管和伪晶体管，深沟槽隔离结构设置在所述衬底上，并围设形成器件区域。多指栅晶体管设置在器件区域内。伪晶体管设置在多指栅晶体管相对的两侧，且伪晶体管位于器件区域的沿第一方向的两侧边缘。其中，伪晶体管被配置为构成反偏隔离的二极管结构，以使静电释放电流均匀分布于伪晶体管和多指栅晶体管。相较于现有技术，本发明通过在多指栅晶体管的两侧设计反偏隔离的二极管结构，能够提升器件的抗ESD性能和触发电压（Vt1），并能够避免局部导通过程中边缘损伤可靠性问题，器件整体鲁棒性得以提升。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本749038.4616万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息320条，此外企业还拥有行政许可182个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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