高盛分析称，随着国内产能扩张，中国有望在未来十年大幅提高先进芯片产量，但光刻技术仍是实现半导体自给自足的主要障碍。

据中国媒体报道，高盛的一份分析报告显示，中国在7纳米及以下先进制程晶圆方面的国内供应缺口预计将从2025年的92%降至2035年的34%。高盛预计，到2035年，中国先进制程晶圆月供应量将达到41万片，而月需求量为61.9万片。

据中国媒体报道，2025年至2035年间，中国国内先进晶圆供应量预计将以46%的复合年增长率增长，而需求量预计将增长17%。

中芯国际扩产或推动先进芯片产量增长

预计供应增量的大部分将来自中芯国际——中国最大的晶圆代工厂，该公司正在扩大产能并提升良率。

高盛的模型假设，从2026年到2031年，中芯国际每年将新增3万至5万片先进制程晶圆的月产能；此后至2035年，每年再新增2万片月产能。

良率预计将从2026年的23%提升至2030年的50%，到2035年达到75%。

相比之下，全球最大代工厂台积电于2018年开始量产7纳米芯片，根据芯片设计和裸片尺寸等因素，其良率可超过90%。

2020年华盛顿收紧对华为的限制、切断其与台积电的合作后，中国加快了国产芯片制造步伐。尽管随后美国主导对先进半导体制造设备实施出口限制，中芯国际仍在2023年为华为生产了一款7纳米芯片。

据高盛数据，按产量计算，中国芯片自给率在6月已达到约70%，而2010年1月仅为38%。不过报告指出，按价值衡量，差距仍然大得多。

半导体投资预计持续攀升

据高盛预测，到2030年，中国半导体资本支出预计将继续以两位数的年增长率增长，达到820亿美元。这一预测比该行一年前的估计高出79%。

高盛分析师写道：“我们对半导体资本支出的持续增长保持乐观。”其理由包括人工智能需求增长、中国国内半导体生态系统的发展，以及向更先进芯片、封装和存储产品的迈进。

高盛预计，2027年中国晶圆制造设备市场规模将达到530亿美元。按价值计算，国内供应商在2028年预计将占据38%的市场份额，而去年为26%。

据高盛称，中国制造商已从刻蚀和沉积等领域扩展至离子注入、检测和量测领域。

然而，光刻技术仍是一个显著短板。

中国几乎所有的尖端深紫外光刻机仍依赖荷兰制造商阿斯麦，而部分深紫外系统面临美国出口限制。中国也无法获得阿斯麦最先进的极紫外光刻机。

报告指出，负责研发国产先进光刻系统的国有企业上海微电子装备集团仍落后于其国际竞争对手。

如果朋友们喜欢，敬请关注“知新了了”！