电池技术
京东方取得显示模组及显示装置专利提升电荷释放效率
国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“显示模组及显示装置”的专利，授权公告号CN119091758B，申请日期为2024年9月。 天眼...
四川华西安装工程申请嵌入式灯具灯坑成型方法及辅助组件专利，保证成型质量稳定可靠
国家知识产权局信息显示，四川华西安装工程有限公司申请一项名为“嵌入式灯具灯坑成型方法及辅助组件”的专利，公开号CN121451490A，申请日期为2025年12...
冠佳技术取得电源适配器整线专利
国家知识产权局信息显示，冠佳技术股份有限公司取得一项名为“电源适配器整线”的专利，授权公告号CN119141328B，申请日期为2024年8月。 天眼查资料显示...
盛吉盛取得基于漏电流的半导体工艺冷却控制专利
国家知识产权局信息显示，盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司取得一项名为“一种基于漏电流的半导体工艺冷却控制系统及方法”的专利，授权公告号CN121123081B，...
三星显示取得传感器模块及显示设备专利
国家知识产权局信息显示，三星显示有限公司取得一项名为“传感器模块和包括传感器模块的显示设备”的专利，授权公告号CN112181192B，申请日期为2020年7月...
华虹半导体取得改善光刻机硅片背面静电分布方法专利
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司取得一项名为“改善光刻机硅片背面静电分布的方法”的专利，授权公告号CN114007320B，申请日期为2021...
星耀光伏申请钙钛矿光伏电池电压电流测试设备专利，能够实现钙钛矿光伏电池的高通量的并行测试
国家知识产权局信息显示，新加坡星耀光伏能源有限公司申请一项名为“钙钛矿光伏电池的电压电流测试设备”的专利，公开号CN121461882A，申请日期为2025年1...
芯金邦科技取得DDR5电路板信号换层结构优化专利
国家知识产权局信息显示，成都芯金邦科技有限公司取得一项名为“一种适用于DDR5印制电路板的信号换层结构优化方法、设备、介质及产品”的专利，授权公告号CN1209...
伊利诺斯工具申请绝缘散热垫及包括其的电子设备专利，能够使包括本申请的绝缘散热垫的电子设备性能更加安全可靠
国家知识产权局信息显示，伊利诺斯工具制品有限公司申请一项名为“绝缘散热垫及包括其的电子设备”的专利，公开号CN121463377A，申请日期为2024年7月。 ...
湖南捷联通取得集成组合式插座专利，使得连接器在传输电流或信号时更加安全、可靠
国家知识产权局信息显示，湖南捷联通新能源科技有限公司取得一项名为“一种集成组合式插座”的专利，授权公告号CN223884741U，申请日期为2024年12月。 ...
芯航东方取得具有自清洁功能的半导体铝板抛光装置专利
国家知识产权局信息显示，江苏芯航东方科技有限公司取得一项名为“一种具有自清洁功能的半导体铝板抛光装置”的专利，授权公告号CN120461294B，申请日期为20...
可控硅恒电位仪80A/100V的使用规范
一、设备安装规范 环境要求 安装于通风良好、干燥、无腐蚀性气体和尘埃的环境中，避免密闭或高温场所。 环境温度：-25℃至+60℃，相对湿度≤90%，大气压力86...
宇视科技申请焊接螺柱结构专利，提高连接强度满足大电流通过
国家知识产权局信息显示，浙江宇视科技有限公司申请一项名为“焊接螺柱结构、电路板组装方法及电路板组件”的专利，公开号CN121452247A，申请日期为2025年...
美创希取得检测装置专利，能够提高电流检测精度
国家知识产权局信息显示，广东美创希科技有限公司取得一项名为“检测装置”的专利，授权公告号CN223883648U，申请日期为2024年12月。 专利摘要显示，本...
助尔达电子取得单端口多外按键控制电路专利，分压电压更加稳定不容易出现误检测
国家知识产权局信息显示，深圳市助尔达电子科技有限公司取得一项名为“单端口多外按键控制电路”的专利，授权公告号CN223885177U，申请日期为2025年1月。...
华为取得振荡器电路专利提升性能
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司取得一项名为“一种振荡器电路”的专利，授权公告号CN114586279B，申请日期为2019年10月。 天眼查资料显示，...
青岛融合光电取得玻璃液温度检测对比装置及方法专利
国家知识产权局信息显示，青岛融合光电科技有限公司取得一项名为“一种用于玻璃液温度检测、对比装置以及方法”的专利，授权公告号CN115406552B，申请日期为2...
兆易创新申请FVF型低压差线性稳压器专利，具有较佳的环路稳定性
国家知识产权局信息显示，兆易创新科技集团股份有限公司申请一项名为“FVF型低压差线性稳压器”的专利，公开号CN121455273A，申请日期为2024年8月。 ...
物元半导体申请晶圆表面薄膜沉积方法专利，提高薄膜量测结果可信度
国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种晶圆表面的薄膜沉积方法”的专利，公开号CN121463733A，申请日期为2025年11...
能芯半导体取得打散脉冲的脉宽调制装置专利
国家知识产权局信息显示，深圳能芯半导体有限公司取得一项名为“一种打散脉冲的脉宽调制装置”的专利，授权公告号CN116978316B，申请日期为2023年6月。 ...