玻芯成（重庆）半导体申请基板通孔填充方法专利，提升在通孔中填充导电材料的效率
创始人
2025-07-19 20:09:09
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司申请一项名为“基板通孔的填充方法、基板和电子设备”的专利，公开号CN120343828A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种基板通孔的填充方法、基板和电子设备，涉及电子元器件技术领域，能够提升在通孔中填充导电材料的效率。该方法包括：提供一基板；基板上设置有贯穿基板的通孔；将基板浸入浸渍溶液；浸渍溶液浸满通孔，浸渍溶液中含有M离子，M离子的离子浓度为第一浓度，M离子为至少一种金属离子；从浸渍溶液中取出基板，烘干基板，以使通孔的内壁形成固态汇集层，固态汇集层含有M盐；将基板放入电镀溶液中进行电镀；电镀溶液浸满通孔，电镀溶液中含有M离子，电镀液中的M离子的浓度为第二浓度，第二浓度大于第二浓度。
天眼查资料显示，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司，成立于2021年，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1367.762万人民币。通过天眼查大数据分析，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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