杭州镓仁半导体申请氧化镓外延生长的氢化物气相外延生长系统和方法专利，提高了工件良品率
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2025-07-20 01:08:36
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种氧化镓外延生长的氢化物气相外延生长系统和方法”的专利，公开号CN120330882A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明属于单晶外延技术领域，尤其涉及一种氧化镓外延生长的氢化物气相外延生长系统和方法。本发明在生长系统中引入特定设计的盛放装置，盛放装置和衬底形成密闭空腔，通过盛放装置的气体进口和气体出口的流速设计，使密闭空腔为负压，使得衬底被吸在盛放装置上，且使衬底的背面与反应腔室中的反应气体完全隔离，避免了衬底背面氧化镓外延层的形成，提高了工件良品率。盛放装置的侧壁和底部分别设置气体进口和气体出口，密闭空腔中的气体进出，避免了反应腔室的气体对盛放装置的影响，保证了衬底的背面不受反应腔室内气体影响，提高了操作的稳定性和可重复性。
天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本148.0918万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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