增芯科技申请半导体结构及其制备方法专利，降低制备成本
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2025-07-21 18:38:18
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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120343946A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：阱区；第一重掺杂区和第二重掺杂区，第一重掺杂区、第二重掺杂区位于阱区内且相互分离，第一重掺杂区、第二重掺杂区的导电类型与阱区的导电类型相反；轻掺杂区，多个轻掺杂区，相互之间连续衔接排布，且最两头的轻掺杂区分别与第一重掺杂区和第二重掺杂区相接壤，轻掺杂区的导电类型与第一重掺杂区、第二重掺杂区的导电类型相同；多晶条，多晶条的数量为多个，各多晶条位于相邻轻掺杂区交界面的上方。本申请多个轻掺杂区同时构成了漏区与源区之间的电流通道，没有额外的注入区，降低了制备成本。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息104条，此外企业还拥有行政许可170个。
来源：金融界
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