新创元半导体申请IC载板及其制备方法专利，能够降低成本并不良率_电池资讯

新创元半导体申请IC载板及其制备方法专利，能够降低成本并不良率

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2025-07-22 16:39:07

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金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“IC载板及其制备方法”的专利，公开号CN120358678A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请提供一种IC载板及其制备方法，IC载板的制备方法包括：提供线路板，线路板包括基板、第一和第二线路层、第一和第二阻焊层，第一及第二线路层形成在基板上，第一阻焊层形成在第一线路层上，第二阻焊层形成在第二线路层上；第一阻焊层包括第一开口，部分第一线路层自第一开口内露出，第二阻焊层包括第二开口，部分第二线路层自第二开口内露出；通过IVD技术形成第一电镀引线层，第一电镀引线层覆盖第一阻焊层及自第一开口露出的部分第一线路层；在第一电镀引线层上形成第一保护层；在自第二开口内露出的第二线路层上形成第一镀金层；及去除第一保护层和第一引线引线层。本申请提供的IC载板及其制备方法能够降低成本并不良率。

天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本28113.5511万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可74个。

来源：金融界

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