中芯国际申请半导体结构及其制备方法和电子装置专利避免介质层的界面陷阱问题_电池资讯

中芯国际申请半导体结构及其制备方法和电子装置专利避免介质层的界面陷阱问题

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2025-07-25 09:12:47

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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构、其制备方法和电子装置”的专利，公开号CN120379285A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构、其制备方法和电子装置，制备方法包括：提供基底，基底具有沟道层和位于沟道层上的第一保护层；于第一保护层的背离沟道层的一侧形成第一介质层；形成贯穿第一介质层和第一保护层的沟槽结构，沟槽结构暴露沟道层；于沟槽结构内形成第二保护层；于所述沟槽结构内形成第二保护层；基于第二保护层形成第二介质层。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

来源：金融界

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