力晶积成申请半导体结构的制造方法专利，公开一种半导体结构的制造方法
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2025-07-28 18:12:04
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN120376513A，申请日期为2024年02月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括切割道区与元件区。在基底上形成介电结构。在元件区的介电结构中形成内连线结构。在介电结构上形成保护层。对保护层与介电结构进行图案化，而在切割道区的介电结构中形成划片沟槽，且在元件区的介电结构中形成开口。在划片沟槽与开口中以及保护层上形成隔离材料层。在划片沟槽中的隔离材料层上形成光致抗蚀剂层。对隔离材料层进行第一回蚀刻制作工艺，而在划片沟槽中形成第一隔离层，且在开口中形成第二隔离层。第一隔离层覆盖由划片沟槽所暴露出的介电结构的表面。移除光致抗蚀剂层。

来源：金融界

制造 方法 显示 进行 沟槽 隔离 力晶积 元件 导体 结构 介电 半导体 元件区 隔离层

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