金融界2025年7月28日消息,国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有气隙的混合接合结构的半导体元件结构及其制备方法”的专利,公开号 CN120376544A,申请日期为 2024年04月。
专利摘要显示,本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一第一基底、一第二基底以及一混合接合结构。该第二基底通过该混合接合结构而接合到该第一基底。该混合接合结构包括一介电结构、一导电结构。该介电结构在其中界定出一气隙。
来源:金融界
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