力晶积成申请半导体装置及其制造方法专利，公开一种半导体装置及其制造方法
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2025-07-29 15:13:15
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN120390412A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括多条第一结构、多条第二结构以及多个阻障层。第一结构在第一方向上延伸、在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开来且各自包括字线、在字线上的选择器及在选择器上的至少一合成反铁磁(synthetic antiferromagnetic，SAF)结构。第二结构在第一结构上方、在第二方向上延伸、在第一方向上彼此间隔开来且各自包括在第二方向上跨越多个合成反铁磁结构的位线、在位线与多个合成反铁磁结构之间的多个自由层以及分别在位线的相对侧壁上的多个间隙壁。间隙壁包括覆盖自由层的侧壁的部分。阻障层在第一结构和第二结构之间、在第二方向上延伸以及在第一方向上彼此间隔开来。
来源：金融界
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