华进半导体等取得三维堆叠电容集成结构及其制作方法专利
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2025-08-06 11:40:58
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、上海先方半导体有限公司取得一项名为“一种三维堆叠电容集成结构及其制作方法”的专利，授权公告号CN114093852B，申请日期为2021年11月。
天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本46246.82万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1105条，此外企业还拥有行政许可54个。
上海先方半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1750万人民币。通过天眼查大数据分析，上海先方半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息200条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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