金融界2025年8月18日消息,国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN120497232A,申请日期为2024年09月。
专利摘要显示,根据一个实施方式,半导体装置具备第一绝缘膜、设置在所述第一绝缘膜内的第一插塞、以及设置在所述第一绝缘膜上的第一布线层。所述装置还具备第二绝缘膜,其包含设置在所述第一绝缘膜上并具有第一上表面的第一区域、以及设置在所述第一布线层上并具有比所述第一上表面高的第二上表面的第二区域。所述装置还具备第二布线层,其包含设置在所述第一绝缘膜和所述第一插塞上的第一部分、设置在所述第一区域上的第二部分、以及设置在所述第二区域上的第三部分,并且包含接合焊盘。
来源:金融界