上海积塔半导体申请非挥发性存储器及其制造方法专利，避免浮栅材料层在隔离槽底部的残留
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2025-12-04 10:36:38
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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“非挥发性存储器及其制造方法”的专利，公开号CN121057217A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明涉及一种非挥发性存储器及其制造方法。所述非挥发性存储器的制造方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底、覆盖于衬底的正面上的栅极介质层、位于栅极介质层上且沿第二方向间隔排布的多个选择栅极、覆盖于选择栅极的侧壁上的隔离侧墙以及位于相邻的隔离侧墙之间的浮栅材料层；采用湿法刻蚀工艺刻蚀浮栅材料层，形成浅沟槽于剩余的浮栅材料层的顶部；采用干法刻蚀工艺沿第一方向刻蚀浮栅材料层，形成沿第一方向贯穿浮栅材料层的隔离槽，隔离槽将剩余的浮栅材料层分隔为相互独立的浮置栅极。本发明避免了浮栅材料层在隔离槽底部的残留，同时避免了对多晶硅浮栅的底部关键尺寸和高度造成影响。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1913次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1286条，此外企业还拥有行政许可200个。
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来源：市场资讯
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