众德兴科技申请发光二极管外延片缺陷检测方法及装置专利，提高了外延片到位精度_电池资讯

众德兴科技申请发光二极管外延片缺陷检测方法及装置专利，提高了外延片到位精度

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2026-02-06 18:41:49

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国家知识产权局信息显示，深圳市众德兴科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管的外延片缺陷检测方法及装置”的专利，公开号CN121446731A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及缺陷检测技术领域，公开了一种发光二极管的外延片缺陷检测方法及装置。该方法：S1：将外延片投入进料管并启动驱动装置驱动推送机构，通过调节驱动装置将外延片推送至检测位置；S2：通过传动组件带动传动齿轮系统啮合，驱动间歇传动机构与从动齿轮间歇啮合，使升降驱动机构旋转驱动检测块弹簧加载下降接触外延片；S3：测量检测块底面高度并计算外延片厚度；S4：基于外延片厚度与标准厚度确定缺陷检测结果，并根据缺陷检测结果控制分拣执行机构分区存放。本发明抑制了启停冲击振动，降低了推送位置误差，提高了外延片到位精度。

天眼查资料显示，深圳市众德兴科技有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市众德兴科技有限公司专利信息17条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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