武汉敏声申请基于铙钹结构的MEMS传感器专利，提高了铙钹结构的位移灵敏度
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2025-07-04 19:38:28
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，武汉敏声新技术有限公司申请一项名为“一种基于铙钹结构的MEMS传感器”的专利，公开号CN120246919A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于铙钹结构的MEMS传感器，该MEMS传感器中铙钹结构包括端盖组、电极层组以及压电层。端盖组包括两个端盖，沿垂直于衬底的方向，两个端盖分别位于铙钹结构的最外侧。电极层组包括两个电极层，两个电极层分别与两个端盖接触，压电层位于两个电极层之间。压电层中设置有至少一个第一通孔。端盖组的其中一个端盖包括独立设置的两个引出电极，两个引出电极的其中一个通过第一通孔与对应的电极层电连接，另一个引出电极直接与对应的电极层直接接触。通过将其中一个端盖作为电极信号引出部，并通过第一通孔来实现独立设置的两个引出电极分别引出对应电极层的电极信号，从而无需在端盖上设置锚点来引出信号，提高了铙钹结构的位移灵敏度。
天眼查资料显示，武汉敏声新技术有限公司，成立于2019年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2411.5347万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉敏声新技术有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息36条，专利信息303条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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