爱思开海力士申请半导体装置及其操作方法专利，刷新数据
创始人
2026-03-03 12:17:12
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其操作方法”的专利，公开号CN121600988A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体装置及其操作方法。公开了包括一个或多个存储单元的半导体装置及其操作方法。每个存储单元包括：第一晶体管，其配置为写入数据；第二晶体管，其配置为存储数据；和第三晶体管，其配置为刷新数据。存储单元包括：第一晶体管，其包括与写字线连接的第一栅极以及与存储节点连接的一个端子；第二晶体管，其包括与存储节点连接的第二栅极以及与读字线连接的一个端子；以及第三晶体管，其包括与读字线连接的第三栅极以及与读位线连接的一个端子。
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来源：市场资讯
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