索力德普半导体申请晶圆栅极老化测试方法专利，降低测试的应用成本_电池资讯

索力德普半导体申请晶圆栅极老化测试方法专利，降低测试的应用成本

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2026-03-09 14:36:47

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国家知识产权局信息显示，江苏索力德普半导体科技有限公司申请一项名为“一种晶圆栅极老化测试方法及系统”的专利，公开号CN121613292A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆栅极老化测试方法及系统，涉及功率器件测试技术领域，所述晶圆包括呈阵列分布的多个功率芯片，所述晶圆栅极老化测试方法包括：将晶圆上的多个功率芯片划分为多个测试区域，每个测试区域对应设置一路驱动电路以及一路选通电路；对于任一测试区域，所述测试区域内的多个功率芯片与对应选通电路连接，所述选通电路与对应驱动电路连接；所述驱动电路用于提供对应测试区域内功率芯片的老化驱动信号，所述选通电路用于根据选通信号将所述老化驱动信号加载至对应测试区域内的目标功率芯片，以对对应测试区域内的目标功率芯片进行老化测试。该测试方法及系统既保证了功率器件驱动效果又降低了测试的应用成本。

天眼查资料显示，江苏索力德普半导体科技有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4831.7056万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏索力德普半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息128条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

栅极功率投资降低驱动索力测试导体德普专利电路芯片晶圆

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