华润华晶申请MOS器件及其制作方法专利，使得MOS器件在线性工作模式下的安全工作区大幅提升
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2026-07-03 14:24:34
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国家知识产权局信息显示，无锡华润华晶微电子有限公司申请一项名为“MOS器件及其制作方法”的专利，公开号CN122318276A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种MOS器件及其制作方法。所述MOS器件包括至少一个元胞结构，一个元胞结构包括至少一个体区和至少一个源区；体区为第二导电类型且位于基底中；源区位于基底中，一个源区对应一个体区设置且位于对应的体区的上方，源区与对应的体区相接，源区为与第二导电类型相反的第一导电类型；其中，MOS器件所有元胞结构的所有源区的一部分区域为第一导电类型的高浓度掺杂区且另一部分区域为第一导电类型的低浓度掺杂区，这样可以实现MOS器件源区电势的自负反馈调整，使得MOS器件在线性工作模式下的安全工作区大幅提升，且比导通电阻牺牲较少。所述MOS器件得制作方法可以制作上述MOS器件。
天眼查资料显示，无锡华润华晶微电子有限公司，成立于2000年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本33500万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润华晶微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目828次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息265条，此外企业还拥有行政许可25个。
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来源：市场资讯
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