邦芯半导体申请一种半导体结构的制备方法及半导体结构专利，实现更高深宽比和更小纳米级尺寸的深硅刻蚀
创始人
2025-07-09 12:39:09
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN120280339A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，制备方法包括：使用刻蚀工艺对衬底进行刻蚀，以在衬底上形成高深宽比刻蚀结构；在每完成预设次数的刻蚀工艺的周期性循环步骤后，都使用不同于刻蚀工艺的处理工艺，对在高深宽比刻蚀结构形成前形成的中间结构进行去除侧壁上沉积的钝化层的部分厚度，并去除侧壁上存在且自剩余的钝化层表面上露出的凸起部的至少部分的处理。
天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息129条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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