桑迪士克申请含有碳氧化硅衬垫的三维存储器设备及其形成方法专利，形成背侧凹槽
创始人
2025-07-11 12:39:12
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“含有碳氧化硅衬垫的三维存储器设备及其形成方法”的专利，公开号CN120304028A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，一种制造存储器设备的方法包括：形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠，其中碳氧化硅衬垫插置在第一牺牲材料层与第一绝缘层之间，并且该第一牺牲材料层与第二绝缘层或由氧化硅材料组成的介电材料层直接接触；形成穿过该交替堆叠的存储器开口；在该存储器开口中形成存储器开口填充结构；通过相对于该碳氧化硅衬垫选择性地移除该牺牲材料层来形成背侧凹槽；以及在该背侧凹槽中形成导电层。

来源：金融界

方法 显示 三维 材料 设备 存储器 桑迪士克 绝缘层 专利 衬垫 碳氧化硅

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