上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，增加金属与半导体的接触面积
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2025-07-11 14:39:07
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120302674A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括衬底、介质层以及导电接触孔。介质层形成于衬底一侧。导电接触孔贯穿介质层并延伸至衬底内。其中，导电接触孔包括形成于衬底的第一导电孔和形成于介质层的第二导电孔，第一导电孔的横剖面形状为N边形，N≥5。本申请可以增加金属与半导体的接触面积，降低了电阻，从而进一步改善了半导体器件的性能。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1838次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1193条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

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