爱思开海力士申请半导体装置及制造方法专利，本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法
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2025-06-18 12:38:25
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN120166714A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置可以包括：外围电路，其位于基板上；层叠结构，其在非核心区域中位于外围电路上方并且包括交替地且重复地层叠的绝缘层和虚设层；沟道图案，其位于层叠结构上；晶体管，其位于沟道图案上；接触结构，其延伸穿过层叠结构并且将外围电路电连接到沟道图案；栅极结构，其在核心区域中位于外围电路上方并且包括交替地且重复地层叠的绝缘层和导电层；第一源极图案，其位于栅极结构上；以及沟道结构，其延伸穿过栅极结构以接触第一源极图案。
来源：金融界
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