甬矽半导体申请5D封装结构的制备方法专利，避免同时对多个芯片覆膜带来负面问题_电池资讯

甬矽半导体申请5D封装结构的制备方法专利，避免同时对多个芯片覆膜带来负面问题

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2025-07-16 00:10:01

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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“5D封装结构的制备方法”的专利，公开号CN120319744A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明提供了一种2.5D封装结构和2.5D封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该2.5D封装结构包括基底组合布线层、第一芯片、覆膜层、第二芯片和塑封层，基底组合布线层上设置有第一焊盘和第二焊盘，且第二焊盘的中部设置有对位凹槽；第一芯片贴合于第一焊盘；覆膜层至少覆盖在第一芯片的侧壁，且覆膜层部分覆盖在第二焊盘上，并设置有露出对位凹槽的开孔；第二芯片贴合于第二焊盘；塑封层设置在覆膜层上。相较于现有技术，本发明能够单独对第一芯片覆膜，同时冲孔形成露出对位凹槽的开孔，方便第二芯片对位贴装与第二焊盘，并使得第二芯片的第二导电凸起与对位凹槽接合实现电连接。从而避免同时对多个芯片覆膜带来负面问题。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司参与招投标项目33次，专利信息178条，此外企业还拥有行政许可14个。

来源：金融界

方法显示半导体覆膜芯片宁波凹槽结构专利对位焊盘覆膜层

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