美光科技申请形成电容器阵列的方法专利，提供一种形成电容器阵列的技术方案
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2025-07-17 09:11:10
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金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“电容器阵列、存储器单元阵列及用于形成电容器阵列的方法”的专利，公开号CN120323092A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种形成电容器阵列的方法，其包括：将水平间隔开的开口形成到牺牲材料中并使其穿过在所述牺牲材料的顶部与底部之间的绝缘性材料，所述绝缘性材料至少主要包括SiN、SiBN及SiCN中的至少一者，且水平间隔开的开口穿过其的所述绝缘性材料包括绝缘性水平晶格；将绝缘性衬层沉积在所述开口内并且在所述牺牲材料正上方，所述衬层至少主要包括SiO及SiON中的至少一者；在所述沉积期间，将所述衬层间歇地暴露于含氮等离子体；在位于所述开口中的所述衬层上方横向形成个别地位于所述开口中的个别者内的第一电容器电极；移除所述牺牲材料，且在所述第一电容器电极及所述晶格上方形成电容器绝缘体；及在所述电容器绝缘体上方形成第二电容器电极材料。
来源：金融界
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