电池资讯
速腾聚创申请单光子雪崩二极管单元和制备方法专利，改善SPAD的时间抖动和延迟脉冲的问题
国家知识产权局信息显示，深圳市速腾聚创科技有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管单元和制备方法”的专利，公开号CN121793460A，申请日期为2025年5月...
阴极保护测试桩和智能电位采集仪的搭配适用
阴极保护测试桩和智能电位采集仪的搭配适用 河南铧云-杨素素 阴极保护测试桩与智能电位采集仪的搭配，是实现管道、储罐等金属构筑物阴极保护系统智能化、精准化管理的重...
剩余电流测试的关键设备解决方案：中佳检测设备的技术创新与应用
剩余电流测试的关键设备解决方案：中佳检测设备的技术创新与应用 剩余电流测试在电气安全领域的重要价值 在电气安全检测领域，剩余电流测试是保障电气设备安全运行的关键...
西门子能源取得耐电压击穿测试设备专利，能判断待测样品是否通过耐电压击穿测试
国家知识产权局信息显示，西门子能源避雷器（无锡）有限公司取得一项名为“一种耐电压击穿测试设备”的专利，授权公告号CN224081745U，申请日期为2025年2...
西北首台超导量子计算机真机投用运行
观点网讯：4月1日，西北地区首台15量子比特超导量子计算机在西安浐灞国际港的长安先导生命科学产业创新中心正式投用并稳定运行。 据介绍，该量子计算机聚焦生物医药与...
盛美半导体取得一种整流装置专利
国家知识产权局信息显示，盛美半导体设备(上海)股份有限公司取得一项名为“一种整流装置”的专利，授权公告号CN118136544B，申请日期为2022年12月。 ...
永井电子取得半导体焊接工装专利
国家知识产权局信息显示，无锡永井电子有限公司取得一项名为“一种半导体用焊接工装”的专利，授权公告号CN120772625B，申请日期为2025年7月。 天眼查资...
华芯半导体取得VCSEL芯片金属蚀刻方法专利
国家知识产权局信息显示，华芯半导体科技有限公司、华芯半导体研究院（北京）有限公司取得一项名为“一种VCSEL芯片金属蚀刻方法”的专利，授权公告号CN120709...
苏州鑫匠铖取得PCB板精准涂胶装置专利，有利于连续性作业提高工作效率
国家知识产权局信息显示，苏州鑫匠铖智能科技有限公司取得一项名为“一种PCB板加工用精准涂胶装置”的专利，授权公告号CN224072508U，申请日期为2025年...
锐凌无线申请天线开关测试方法专利，降低了网络接入设备生产校准的不良率
国家知识产权局信息显示，锐凌无线有限责任公司申请一项名为“天线开关的测试方法、装置、电子设备和存储介质”的专利，公开号CN121770642A，申请日期为202...
比亚迪取得采集机构专利，能够适用于不同规格的电路板
国家知识产权局信息显示，比亚迪股份有限公司;长沙弗迪电池有限公司取得一项名为“采集机构、电池管理系统、电池包及用电设备”的专利，授权公告号CN224082467...
博众精工申请柔性电路板用承载组件及弯折装置专利，使柔性电路板的夹持机构能够通过输送组件移动
国家知识产权局信息显示，博众精工科技股份有限公司申请一项名为“一种柔性电路板用承载组件及弯折装置”的专利，公开号CN121793341A，申请日期为2025年1...
圣欧顿科技取得室内电路布线系统及方法专利
国家知识产权局信息显示，圣欧顿科技（深圳）有限公司取得一项名为“室内电路布线系统及方法”的专利，授权公告号CN113889988B，申请日期为2021年10月。...
天津航空机电取得电路控制系统及方法专利
国家知识产权局信息显示，天津航空机电有限公司取得一项名为“电路控制系统及方法以及包括电路控制系统的开关”的专利，授权公告号CN120855219B，申请日期为2...
正泰电器取得电源电路及断路器专利，提高了电路安全性和可靠性
国家知识产权局信息显示，浙江正泰电器股份有限公司取得一项名为“电源电路及断路器”的专利，授权公告号CN224083194U，申请日期为2025年4月。 专利摘要...
中光学取得降低激光主动探测光电观瞄时虚假目标方法专利
国家知识产权局信息显示，河南中光学集团有限公司取得一项名为“一种降低激光主动探测光电观瞄时虚假目标的方法”的专利，授权公告号CN116777975B，申请日期为...
阿特斯申请光伏电池片专利，提高了光伏电池片的光电转换效率
国家知识产权局信息显示，常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司申请一项名为“光伏电池片、光伏电池串和光伏组件”的专利，公开号CN1217...
强力电子取得含硅肟酯光引发剂专利
国家知识产权局信息显示，常州强力先端电子材料有限公司、常州强力光电材料有限公司、常州强力电子新材料股份有限公司取得一项名为“含硅肟酯光引发剂、其制备方法及应用”...
航天科工武汉磁电取得基于多层电阻膜的宽带吸波结构及制备方法专利
国家知识产权局信息显示，航天科工武汉磁电有限责任公司取得一项名为“基于多层电阻膜的宽带吸波结构及制备方法”的专利，授权公告号CN115842249B，申请日期为...