苏州华太电子申请场效应晶体管及其制造方法专利，降低栅漏电容
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2025-07-18 16:11:17
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN120343952A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种场效应晶体管及其制造方法，其中，场效应晶体管包括：基底；形成于基底之上的外延层；形成于外延层上部的第一源极注入区和第二源极注入区；第一源极注入区和第二源极注入区在厚度方向上没有重叠部分，且第一源极注入区的顶面高度低于第二源极注入区的底面；第一源极注入区和第二源极注入区通过金属结构电连接；形成于第二源极注入区下方的栅极注入区，栅极注入区位于第二源极注入区下方区域的两侧；形成于基底下表面的漏极注入区。
天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息59条，专利信息468条，此外企业还拥有行政许可11个。
来源：金融界
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