锐成芯微申请嵌入式闪存存储单元阈值电压调整方法专利，能使存储单元器件的阈值电压达到所需要的数值_电池知识

锐成芯微申请嵌入式闪存存储单元阈值电压调整方法专利，能使存储单元器件的阈值电压达到所需要的数值

创始人

2026-01-21 12:13:04

0次

国家知识产权局信息显示，成都锐成芯微科技股份有限公司申请一项名为“嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法”的专利，公开号CN121354635A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法，该闪存包括：存储阵列区和外围逻辑区，存储阵列区包含至少一个存储单元，该存储单元包含：一对叠置栅极和一对选择晶体管，叠置栅极包括：浮栅栅氧层、浮栅、介电层、和控制栅极；所述外围逻辑区包括高压和低压的逻辑区，高压或低压的逻辑区包含至少一个标准逻辑晶体管，它包括：逻辑栅氧层和逻辑栅极；所述闪存的存储器件阈值电压的调整方法包括两次全域离子注入，首次全域离子注入在形成浮栅栅氧层之前实施，注入离子的剂量是：能使存储单元器件的阈值电压达到所需要的数值；再次全域离子注入在形成浮栅之后、和逻辑栅氧层之前实施；两次注入离子的电类型相反但注入剂量相同。

天眼查资料显示，成都锐成芯微科技股份有限公司，成立于2011年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5609.2881万人民币。通过天眼查大数据分析，成都锐成芯微科技股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目47次，财产线索方面有商标信息30条，专利信息235条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业调整成都栅极投资逻辑元器件存储包括专利栅氧层阈值浮栅逻辑区

上一篇：汇芯半导体申请智能功率模块及其制造方法专利，减少了专用设备的投入成本

下一篇：美国ITC正式对具有视频功能的电子设备启动337调查

锐成芯微申请嵌入式闪存存储单元阈值电压调整方法专利，能使存储单元器件的阈值电压达到所需要的数值

相关内容

热门资讯